所以现在看明白了日本光刻机的水平高精度的机器还不够卖给三星的的而其他的光刻机早就被荷兰的阿斯麦超越了那么我国面对这种情况向日本进口也意义不大，之后徐端颐团队不再。。
光刻机为什么中国做不出来工业软件
光刻机基本算是目前世界上科技含量最多的科技产品了，中国可以生产光刻机，但是想生产最先进的光刻机，就不是国内企业可以做到的了，最先进的光刻机凝聚了全球制造业大国的最尖端的科技，可以说是全球科技大国的共同产出品，简单依靠中国国内的科技水平远远无法达到。
芯片是半导体行业的核心，制造芯片复杂而且漫长，提炼高纯硅单晶片、制造前端芯片构建、后端封装测试等。需求经过上千道工序重复制作，涉及50多个行业制造，上千台设备配合完成。
中国无法制造光刻机的技术难度：
1、光刻机的技术难度在于“技术封锁”，一台顶级的光刻机关键设备来自于西方发达国家，美国的光栅、德国的镜头、瑞典的轴承、法国的阀件等，这些顶级零件对中国是禁运的。所以，ASML曾说“即便给你们全套图纸，你们也造不出来”。
2、光刻机是“人类智慧集大成”的产物，环顾全球，最先进的7nm EUV光刻机只有荷兰的ASML（阿斯麦）能够生产，超过90%的零件向外采购，整个设备的不同部位同时获得了全世界最先进的技术，因此可以在日新月异的芯片制造业取得竞争优势。
3、最顶尖的光刻机集合了很多国家的技术支持，德国为ASML提供了核心光学配件支持，美国为ASML提供光源支持及计量设备的支持，ASML要做的就是做到精确控制，7nm EUV光刻机包含了5万多个零件，德国的蔡司光学设备不精准，美国的Cymer光源不精，都可能造成很大的误差。
4、与德国、瑞典、美国等一些西方国家相比，我国的芯片制造以及超级精密的机械制造方面不具备什么优势，没有超级精密的仪器，自然就很难造出顶级的设备，无法造成顶级的芯片。最关键的是，这些超级精密的仪器根据《瓦森纳协定》对中国是禁运的。
国产光刻机的“差距”：
目前国内技术领先的光刻机研制厂家是上海微电子装备有限公司，可以稳定生产90nm制造工艺的光刻机，相比ASML的7nm制程差距还是比较大，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。同样正是SMEE推出90nm制程的光刻机后，ASML对中芯国际的7nm光刻机订单放行。
中国无法购买光刻机的原因：
1、只有投资了ASML的，才能获得优先供货权，而英特尔、三星、台积电拥有ASML很大的股份。ASML的高端光刻机产量有限，2022年18台，2022年30台，其中台积电获得了18台，我国的中芯国际1台。
2、《瓦森纳协定》的限制，瓦森纳协定有33个成员国，中国不在其列，主要目的是阻止关键技术和远见流失到成员国之外，在半导体领域，受限于该协定，在芯片制造、封装、设计等方面，我国一直无法获得国外最新的科技。
光刻机为什么中国做不出来知乎
光刻机的制造，是集合了很多门类科学顶尖技术的产物，包括光学、精密仪器、数学、机械自动化、流体力学等等。
1、技术难点一：光源。
如果把光想象成一把刻刀，那它的光波长越短，这把刀就会越锋利。7纳米的芯片意味着，在每个元器件之间，只允许有几纳米的间距，相当于头发丝的万分之一粗细。
要制造这样的光源，必须使用一种特殊的极紫外光。这种光源，很难制造。直到2022年的时候，ASML才研制出一台极紫外光刻机。
目前为止，也只有阿斯麦一家公司，能够生产极紫外光刻机。
2、技术难点二：光学镜头。
主要作用是调整光路和聚焦的。其中，高精密的光学镜头是光刻机的关键核心部件之一。
3、技术难点三：是曝光台的对准技术。
芯片的曝光不能像照相那样，一次就能完成，必须要换不同的掩膜，多次进行曝光才行。而掩膜和硅晶圆之间的每次对准，都必须控制在纳米级别才行。
当曝光完一个区域后，放置硅晶圆的曝光台，必须马上快速移动，因为要接着曝光下一个区域。
而要在快速移动中，实现纳米级的对准，其难度是相当大的。
4、实际上，除了光源、镜头和曝光台对准这三个关键技术之外，还有很多的保障性技术难题。
比如说，超洁净的厂房、防止抖动的装置等等。
光刻机是“半导体工业皇冠上的明珠”，想要制造这样一台先进的光刻机，其实就是在挑战整个人类工业技术的极限。而且实际情况要复杂的多。
光刻机为什么中国造不出来
造不出来是因为被制裁，像华为手机一样，当它的产品性能开始威胁到美国的产品，美国的产品没有绝对的优势时，它就用这种强盗的手段打击你，不让别人卖元件给你。
现在是中国制造对抗全世界，单凭荷兰阿斯麦，它一台高端光刻机也做不出来，低端的可能还不如中国制造呢！现在的阿斯麦光刻机，用的是全球顶尖的几家科技巨头汇集一起做出来的，是美国日本德国等几个国家的合伙做的，如果同样的产品供应商能提供产品给中国人，那么阿斯麦直接倒闭。
中国14纳米芯片光刻机
第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）
芯片设计师将CPU的功能、结构设计图绘制完毕之后，就可将这张包含了CPU功能模块、电路系统等物理结构的“地图”绘制在“印刷母板”上，供批量生产了。这一步骤就是制作光刻掩膜版。
光刻掩膜版：（又称光罩，简称掩膜版），是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。（*百度百科）
将设计好的半导体电路”地图“绘制在由玻璃、石英基片、铬层和光刻胶等构成的掩膜版上
光刻掩膜版的立体切片示意图
第二步：晶圆覆膜准备
从砂子到硅碇再到晶圆的制作过程点此查阅，这里不再赘述。将准备好的晶圆（Wafer）扔进光刻机之前，一般通过高温加热方式使其表面产生氧化膜，如使用二氧化硅（覆化）作为光导纤维，便于后续的光刻流程：
第三步：在晶圆上“光刻”电路流程
使用阿斯麦的“大杀器”，将紫外（或极紫外）光通过蔡司的镜片，照在前面准备好的集成电路掩膜版上，将设计师绘制好的“电路图”曝光（光刻）在晶圆上。（见动图）：
上述动图的工作切片层级关系如下：
光刻机照射到部分的光阻会发生相应变化，一般使用显影液将曝光部分祛除
而被光阻覆盖部分以外的氧化膜，则需要通过与气体反应祛除
通过上述显影液、特殊气体祛除无用光阻之后，通过在晶圆表面注入离子激活晶体管使之工作，进而完成半导体元件的全部建设。
做到这里可不算大功告成，这仅仅是错综复杂的集成电路大厦中，普通的一层“楼”而已。完整的集成电路系统中包含多层结构，晶体管、绝缘层、布线层等等：
搭建迷宫大厦一般的复杂集成电路，需要多层结构
因此，在完成一层光刻流程之后，需要把这一阶段制作好的晶圆用绝缘膜覆盖，然后重新涂上光阻，烧制下一层电路结构：
多次重复上述操作之后，芯片的多层结构搭建完毕（下图）：
如果上图看的不太明白，可以看看Intel的CPU芯片结构堆栈图：
当然，我们可以通过高倍显微镜来观察光刻机“烧制”多层晶圆的堆叠情况：
第四步：切蛋糕（晶圆切割）
使用光刻机烧制完毕的晶圆，包含多个芯片（Die），通过一系列检测之后，将健康的个体们切割出来：
从晶圆上将一个个“小方块”（芯片）切割出来
荷兰光刻机已到达中国
能造出来，但不是最先进的，技术也有。缺的是这方面的人才，有经验的专业人才。
不过，钱给到位了，别说区区一个光刻机，就是给小强腿上刻字典的机器都能给您?意脸隼础
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